기술 솔루션

6인치 및 8인치 레거시 공정에 집중하여, AMAT 및 Lam Research 플랫폼의 하드웨어 및 공정 난제를 해결합니다.

6-8인치 레거시 기술 전문성

성숙 공정(Mature Node) 팹의 6인치(150mm) 및 8인치(200mm) 환경에서 발생하는 특유의 하드웨어 노후화와 신규 소재(SiC, GaN) 전환 난제를 전문적으로 해결합니다.

6" / 8"
SPECIALIZED

공정별 핵심 기술 난제 및 FabOptima 솔루션 매트릭스

장비 플랫폼 (OEM)공정 (Process)핵심 난제 (Critical Pain Point)FabOptima 솔루션 (Value Proposition)
AMAT ProducerPECVD
Twin Chamber Matching
A/B 챔버 간 막질/두께 불일치로 인한 수율 저하
QuickMatch
히터/가스 유량 정밀 보정 하드웨어 및 소프트웨어 튜닝으로 CpK 극대화
Lam Kiyo / FlexEtch
SiC Micro-trenching & Wear
SiC 식각 시 바닥면 굴곡 및 고에너지 플라즈마로 인한 부품 마모
Recipe & Parts
바이어스 펄싱 레시피 최적화 및 고내구성(이트리아/SiC) 부품 적용으로 CoC 절감
AMAT Centura EpiEpitaxy
Thermal Stress & Slip
고온 SiC 성장 시 웨이퍼 슬립 및 결정 결함 발생
Thermal Tuning
존(Zone)별 온도 정밀 제어 및 인젝터 튜닝으로 고품질 에피 성장 지원
Lam Altus / EnduraCVD/PVD
Particle & Flaking
금속 증착 시 챔버 내벽 박리(Flaking)로 인한 파티클 오염
Clean Strategy
인시츄(In-situ) 세정 레시피 최적화 및 쉴드 표면 처리 기술 적용
AMAT Producer Platform

CVD 챔버 매칭

Producer 플랫폼의 'Twin Chamber' 구조는 고유한 임피던스 및 컨덕턴스 불일치 문제를 안고 있습니다. QuickMatch™ 알고리즘과 하드웨어 키트로 다음 문제들을 해결합니다:

  • A/B 사이드 균일도: 두께 편차를 <1% (1-sigma)로 감소.
  • RF 임피던스 튜닝: 플라즈마 밀도 균일화를 위한 맞춤형 매칭 네트워크 보정.
  • 히터 개선(Retrofit): 두꺼운 3D 필름의 응력 관리를 위한 존(Zone) 제어 강화.

8-Axis Health Radar

Golden
Current
MatchingPlasma QualityRF PowerMechanicalThermal HealthUniformityChemistryPressure

Precision Matching Analysis for A/B Chambers

SVID Deviation Heatmap

Idle
Ramp
Dep(Early)
Dep(Late)
Cool
LF_RF_Reflected_Power
HF_RF_Reflected_Power
Phase_Error
Foreline_Pressure
Throttle_Valve_Angle
Purge_Gas_Flow
Vdc_Bias
Chamber_Pressure
Heater_Power_Output
RF_Match_Load_Pos
150M100M50M0

In-situ SVID Monitoring for Etch Process Drift

Lam Research Kiyo / Flex

SiC 트렌치 식각(Etch)

실리콘 카바이드(SiC)는 높은 결합 에너지로 인해 식각이 매우 어렵습니다. Deep Trench MOSFET을 위한 공정 레시피와 하드웨어 개조를 제공합니다.

  • 마이크로 트렌칭(Micro-trenching) 제거: 바이어스 펄싱(Bias Pulsing) 레시피로 서브 트렌칭 방지.
  • 부품 수명 연장: 고에너지 플라즈마 마모를 견디는 이트리아(Yttria) 코팅 포커스 링 적용.
  • 선택비(Selectivity) 제어: 마스크 선택비 극대화를 위한 최적 가스비(SF6/O2) 도출.
Centura Epi / Handling

SiC 개조 및 열 변형 관리

실리콘 라인을 SiC로 전환하는 것은 단순한 공정 튜닝 그 이상을 필요로 합니다. 1600°C 고온 공정과 SiC 특유의 'Thermal Mismatch'는 극심한 웨이퍼 보잉(Bowing)과 핸들링 오류를 야프합니다.

  • 고온 성장 관리: 1600°C 도달 시 발생하는 온도 구배(Top-Bottom) 최적화로 초기 변형 억제.
  • 냉각(Quenching) 제어: 급격한 온도 하강 시 발생하는 응력 고착을 방지하는 가변 냉각 시퀀스.
  • 투명 웨이퍼 감지: 보잉이 심한 투명 SiC 웨이퍼를 위한 고정밀 IR/초음파 센서 매핑 시스템.
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Epi Process Temperature Recipe

Growth Stage (1600°C)Rapid Cooling (Quenching)Process Time (min)Temperature (°C)

Wafer Bowing vs. Process Time

Safe Handling Limit (150μm)Final Bowing: 800μm+Process Time (min)Bowing Amount (μm)
Estimated Bowing
Handling Limit

Thermal Mismatch Analysis: SiC vs. Epi-Layer Stress Accumulation

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