技術ソリューション
6インチおよび8インチのレガシープロセスに集中し、AMATおよびLam Researchプラットフォームのハードウェアとプロセスの難題を解決します。
6-8インチレガシー技術の専門性
成熟プロセス(Mature Node)ファブの6インチ(150mm)および8インチ(200mm)環境で発生하는 特有のハードウェア老朽化と新規素材(SiC、GaN)転換の難題を専門的に解決します。
6" / 8"
SPECIALIZED
工程別核心技術難題およびFabOptimaソリューションマトリックス
| 装置プラットフォーム (OEM) | 工程 (Process) | 核心難題 (Critical Pain Point) | FabOptimaソリューション (Value Proposition) |
|---|---|---|---|
| AMAT Producer | PECVD | Twin Chamber Matching A/Bチャンバー間の膜質/厚さ不一致による歩留まり低下 | QuickMatch ヒーター/ガス流量精密補正ハードウェアおよびソフトウェアチューニングでCpKを最大化 |
| Lam Kiyo / Flex | Etch | SiC Micro-trenching & Wear SiC食刻時の底面屈曲および高エネルギープラ즈マによる部品摩耗 | Recipe & Parts バイアスパルシングレシピの最適化および高耐久性(イットリア/SiC)部品の適用でCoCを削減 |
| AMAT Centura Epi | Epitaxy | Thermal Stress & Slip 高温SiC成長時のウェーハス립および結晶欠陥の発生 | Thermal Tuning ゾーン(Zone)別温度精密制御およびインジェクターチューニングで高品質エピ成長を支援 |
| Lam Altus / Endura | CVD/PVD | Particle & Flaking 金属蒸着時のチャンバー内壁剥離(Flaking)によるパーティクル汚染 | Clean Strategy インシチュ(In-situ)洗浄レシピの最適化およびシールド表面処理技術の適用 |
AMAT Producer Platform
CVDチャンバーマッチング
Producerプラットフォームの「ツインチャンバー」構造は、固有のインピーダンスとコンダクタンスの不一致を抱えています。QuickMatch™アルゴリズムとハードウェアキットで特定の問題を解決します：
- A/Bサイドの均一性：厚さのばらつきを<1% (1-sigma)に低減。
- RFインピーダンスチューニング：プラズマ密度の均一化のためのカスタムマッチングネットワーク校正。
- ヒーターレトロフィット：厚い3D膜の応力管理のためのゾーン制御強化。
8-Axis Health Radar
Golden
Current
Precision Matching Analysis for A/B Chambers
SVID Deviation Heatmap
Idle
Ramp
Dep(Early)
Dep(Late)
Cool
LF_RF_Reflected_Power
HF_RF_Reflected_Power
Phase_Error
Foreline_Pressure
Throttle_Valve_Angle
Purge_Gas_Flow
Vdc_Bias
Chamber_Pressure
Heater_Power_Output
RF_Match_Load_Pos
150M100M50M0
In-situ SVID Monitoring for Etch Process Drift
Lam Research Kiyo / Flex
SiCトレンチエッチング
シリコンカーバイド(SiC)は結合エネルギーが高いため、エッチングが非常に困難です。ディープトレンチMOSFET向けのプロセスレシピとハードウェア改造を提供します。
- マイクロトレンチングの排除：サブトレンチングを防ぐバイアスパルスレシピ。
- 部品寿命の延長：高エネルギーのプラズマ摩耗に耐えるイットリアコーティングされたフォーカスリング。
- 選択比制御：マスク選択比を最大化するための最適ガス比(SF6/O2)。
Centura Epi / Handling
SiCレトロフィットと熱変形管理
シリコンラインをSiCに移行するには、単なるプロセスチューニング以上のことが必要です。1600°Cの成長温度とSiC特有の「熱膨張不一致（Thermal Mismatch）」は、極度のウェーハ反り（Bowing）とハンドリングエラーを引き起こします。
- 高温成長段階の管理：1600°C到達時の温度勾配（Top-Bottom）最適化により、初期変形を抑制。
- クエンチング（急冷）制御：急激な温度降下時の応力固着を防止する可変冷却シーケンス。
- 反り対応検知：反りが激しい透明SiCウェーハ向けの高精度IR/超音波センサーマッピングシステム。
Epi Process Temperature Recipe
Wafer Bowing vs. Process Time
Estimated Bowing
Handling Limit
Thermal Mismatch Analysis: SiC vs. Epi-Layer Stress Accumulation
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